GT50JR22 N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

5.0010
Производитель:   Toshiba
Артикул: 2191-19
Варианты:

Информация от: 23 апреля 2021 г.
На складе в России: 204 шт.
Поставка на заказ (в мес): 8000 шт.
Продано: 2061 шт.

125

Оптовые цены:

Описание

Новое поступление популярных среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники IGBT транзисторы по прямой поставки с промышленных линий компании Toshiba. Текущая партия состоит из двух коробок. Первая - производство 2017 года, вторая - производство 2019 года.

ВНИМАНИЕ: поставки под заказ коробками возможных только с 2019 года производства! По заказу складских остатков обращайтесь к нашим операторам. В данный момент предложений по старым (по скидке) остаткам закончились. Все транзисторы произведенные до 2018 года уже распроданы! 

Характеристики

Общая информация
Полное наименованиеGT50JR22 - биполярный транзистор с изолированным затвором
ПроизводительToshiba
Part NumberGT50JR22
Product Specifications No50JR22
Оригинальное наименованиеDiscrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT50JR22
ОригиналДа
Год выпуска2019
СостояниеНовый
Тип упаковкиПластиковые антистатические рейки
Количество в упаковке30 штук в рейке, 1000 штук в заводской коробке
Основные параметры
Тип транзистораIGBT (БТИЗ)
Технические характеристики
Условия эксплуатации
Вес и габариты
Расположение на складе
В России
Город:Краснодар
СкладГ-1
Помещение №2
Стеллаж №1
Полка №3
ПримечаниеДва короба в помещении №1 склада, на стеллаже "IGBT", с соответствующими метками года производства.
В Китае
城市深圳 (Shēnzhèn)
仓库仓库的公寓
房间地下室
货架

Отзывы посетителей(10)

Наверх