Описание
Новое поступление популярных среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники IGBT транзисторы по прямой поставки с промышленных линий компании Toshiba. Текущая партия состоит из двух коробок. Первая - производство 2017 года, вторая - производство 2019 года.
ВНИМАНИЕ: поставки под заказ коробками возможных только с 2019 года производства! По заказу складских остатков обращайтесь к нашим операторам. В данный момент предложений по старым (по скидке) остаткам закончились. Все транзисторы произведенные до 2018 года уже распроданы!
Характеристики
Общая информация | |
Полное наименование | GT50JR22 - биполярный транзистор с изолированным затвором |
Производитель | Toshiba |
Part Number | GT50JR22 |
Product Specifications No | 50JR22 |
Оригинальное наименование | Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT50JR22 |
Оригинал | Да |
Год выпуска | 2019 |
Состояние | Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 1000 штук в заводской коробке |
Основные параметры | |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Технические характеристики | |
Условия эксплуатации | |
Вес и габариты | |
Расположение на складе | |
В России | |
Город: | Краснодар |
Склад | Г-1 |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 3 |
Примечание | Два короба в помещении №1 склада, на стеллаже "IGBT", с соответствующими метками года производства. |
В Китае | |
城市 | 深圳 (Shēnzhèn) |
仓库 | 仓库的公寓 |
房间 | 地下室 |
货架 | 两 |