1PS66SB82,115 - сборка из 3 диодов Шоттки (3*{15В, 30мА, тип. 1пФ, до 340мВ/1мА}, SOT-666, N5) - оригинал NXP
Бренд:
Nexperia (NXP)Характеристики
Нормаупаковка | |
Год выпуска 
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | N/A+ |
Количество в упаковке | 4000шт. |
Тип упаковки | лента, намотанная на бобину |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Nexperia (NXP) |
Part Number | 1PS66SB82,115 |
Технические параметры | |
Тип корпуса диода | SOT-666 |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Паспортное обратное напряжение VR | 15 В |
Допустимый постоянный прямой ток IF | 0.03 А |
Условия прямого тока | На каждый диод IF≤30 мА; зависимость от нагрева — по паспорту. |
Схема диодного изделия | 3 независимых диода Шоттки |
Источник характеристик | https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/1PS66SB82_1PS88SB82.pdf |
Максимальное прямое напряжение VF | 0.34 В |
Ток измерения прямого напряжения IF | 0.001 А |
Условия измерения прямого напряжения | TA=25 °C, на каждый диод; импульс ≤300 мкс, заполнение ≤0,02. |
Максимальный обратный ток IR, мкА | 0.2 |
Напряжение измерения обратного тока VR | 1 В |
Условия измерения обратного тока | TA=25 °C, на каждый диод. |
Максимальная температура перехода TJ | 125 °C |
Условия ёмкости диода | Типовое значение при VR=0 В, f=1 МГц, TA=25 °C. |
Типовая ёмкость диода, пФ | 1 |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.