КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Память

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Память

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Память

Найти

Память

Популярные товары

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba148 ₽170 ₽

GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")

GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")73 ₽

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM273 ₽

Смотреть все

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

12/24/36/48

В наличии

XM25QH128AHIG - микросхема памяти Serial Flash (2.7В÷3.6В, 128Мбит, SOP-8) - производство XMC

XM25QH128AHIG - микросхема памяти Serial Flash (2.7В÷3.6В, 128Мбит, SOP-8) - производство XMC

XM25QH128AHIG - микросхема памяти Serial Flash (2.7В÷3.6В, 128Мбит, SOP-8) - производство XMC

XM25QH128AHIG - микросхема памяти Serial Flash (2.7В÷3.6В, 128Мбит, SOP-8) - производство XMCГод выпуска:2021Состояние:НовыйПроизводитель:Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(XMC®)Оригинал:ДаВес изделия:1 г

AT24C16AN-10SU-2.7

AT24C16AN-10SU-2.7Маркировка на корпусе:24C16ANПолное наименование:Энергонезависимая память AT24C16AN-10SU-2.7Год выпуска:24 января 2008 г.Тип упаковки:лента, намотанная на бобинуКоличество в упаковке:4000 шт. в одной бобине

W25Q64BVDAIG - флэш-память 25Q64BVAIG (64Мбит, SPI, PDIP-8) - оригинал Winbond

W25Q64BVDAIG - флэш-память 25Q64BVAIG (64Мбит, SPI, PDIP-8) - оригинал Winbond

W25Q64BVDAIG - флэш-память 25Q64BVAIG (64Мбит, SPI, PDIP-8) - оригинал Winbond

W25Q64BVDAIG - флэш-память 25Q64BVAIG (64Мбит, SPI, PDIP-8) - оригинал Winbond

W25Q64BVDAIG - флэш-память 25Q64BVAIG (64Мбит, SPI, PDIP-8) - оригинал Winbond

1W25Q64BVDAIG - флэш-память 25Q64BVAIG (64Мбит, SPI, PDIP-8) - оригинал WinbondМаркировка на корпусе:winbond 25Q64BVAIGОригинальное наименование:W25Q64BVDAIGПолное наименование:SPI Flash memory W25Q64BVDAIGГод выпуска:2012 г.в.Состояние:Новый

AT24C02C-SSHM-T

AT24C02C-SSHM-T

AT24C02C-SSHM-T

AT24C02C-SSHM-TМаркировка на корпусе:020Оригинальное наименование:AT24C02C-SSHM-TГод выпуска:2012Тип упаковки:лента, намотанная на бобинуКоличество в упаковке:15000

AT24CO2BN-SH-T -микросхема памяти с шиной I2C (2К, SO-8) - оригинал Atmel

AT24CO2BN-SH-T -микросхема памяти с шиной I2C (2К, SO-8) - оригинал Atmel

AT24CO2BN-SH-T -микросхема памяти с шиной I2C (2К, SO-8) - оригинал AtmelВес изделия:2 гМагазин (на Коммунаров):Короб с наклейкой "МС-12-" в третьем помещении склада магазина.

AT24C08-10SC

AT24C08-10SC

AT24C08-10SC

GM76C256CLLFW70 – 8-битная статическая память SRAM (SOP-28) - оригинал Hynix Semiconductor

GM76C256CLLFW70 – 8-битная статическая память SRAM (SOP-28) - оригинал Hynix Semiconductor

GM76C256CLLFW70 – 8-битная статическая память SRAM (SOP-28) - оригинал Hynix SemiconductorГод выпуска:2000Оригинал:ДаПроизводитель:HynixСостояние:НовыйМагазин (на Коммунаров):Короб с наклейкой "ПАМЯТЬ -1-" во втором помещении склада

EPCS16SI8N - последовательная FLASH-память конфигурации FPGA (16Мбит, 2.7В÷3.6В, 25МГц, SOIC-16) - оригинал ALTERA

EPCS16SI8N - последовательная FLASH-память конфигурации FPGA (16Мбит, 2.7В÷3.6В, 25МГц, SOIC-16) - оригинал ALTERA

EPCS16SI8N - последовательная FLASH-память конфигурации FPGA (16Мбит, 2.7В÷3.6В, 25МГц, SOIC-16) - оригинал ALTERAГод выпуска:2017Оригинал:ДаВес изделия:1 гМагазин (на Коммунаров):картонный короб "ПИТ-1-" во втором помещении

AT24C16N-10SI-2.7

AT24C16N-10SI-2.7

AT24C16N-10SI-2.7

AT24C16N-10SI-2.7Магазин (на Коммунаров):МС-12

CY7C1019BV33-12VC

CY7C1019BV33-12VC

CY7C1019BV33-12VC

AM29F400BT-70SE - микросхема flash-памяти (4 Мбита, 5 Вольт) - оригинал AMD

AM29F400BT-70SE - микросхема flash-памяти (4 Мбита, 5 Вольт) - оригинал AMD

AM29F400BT-70SE - микросхема flash-памяти (4 Мбита, 5 Вольт) - оригинал AMDОригинал:ДаПроизводитель:AMDСостояние:НовыйМагазин (на Коммунаров):Короб в надписью "Память -1-"

AT29C512-12JI

AT29C512-12JIМаркировка на корпусе:AT29C512-12JIТип упаковки:Линейки, коробОригинал:ДаПроизводитель:AtmelPart Number:AT29C512-12JI

M27C526B-12F6

AT24C16N

AT24C16N

AT24C16NМаркировка на корпусе:AT24C16NПолное наименование:AT24C16NГод выпуска:2015Тип упаковки:лента, намотанная на бобинуКоличество в упаковке:2500 штук в 1 бабине

KLM8G1GETF-B041 - микросхема памяти eMMC5.1 (1.8В, 8ГБ, 200МГц) - оригинал Samsung

KLM8G1GETF-B041 - микросхема памяти eMMC5.1 (1.8В, 8ГБ, 200МГц) - оригинал Samsung

KLM8G1GETF-B041 - микросхема памяти eMMC5.1 (1.8В, 8ГБ, 200МГц) - оригинал SamsungОригинал:ДаМагазин (на Коммунаров):картонный короб с наклейкой "Память -1-"

AT29LV256-15JI

EPC1PC8 память серии EPC1 в корпусе DIP-8 - оригинал Altera

EPC1PC8 память серии EPC1 в корпусе DIP-8 - оригинал Altera

EPC1PC8 память серии EPC1 в корпусе DIP-8 - оригинал Altera

EPC1PC8 память серии EPC1 в корпусе DIP-8 - оригинал AlteraОригинал:ДаПроизводитель:ALTERAСостояние:НовыйГород::КраснодарПомещение №:2

E28F128J3A150 - микросхема FLASH памяти (3В, 128МБИТ, TSOP-56) -оригинал Intel

E28F128J3A150 - микросхема FLASH памяти (3В, 128МБИТ, TSOP-56) -оригинал Intel

E28F128J3A150 - микросхема FLASH памяти (3В, 128МБИТ, TSOP-56) -оригинал IntelОригинал:ДаПроизводитель:IntelСостояние:НовыйВес изделия:5 гМагазин (на Коммунаров):Короб "Память -1-"

AT45DB081B - флеш память типа DataFlash (8Мбит, 28-SOIC)| Оригинал Atmel

AT45DB081B - флеш память типа DataFlash (8Мбит, 28-SOIC)| Оригинал AtmelМаркировка на корпусе:ATMEL AT45DB081B-RIОригинал:ДаПроизводитель:AtmelProduct Specifications No:AT45DB081B-RIСостояние:Новый

AM29F010B-70JC

W25Q256FV

W25Q256FV

W25Q256FVМаркировка на корпусе:W25Q256FVFGПолное наименование:W25Q256FVFGГод выпуска:2014Тип упаковки:Линейки, коробОригинал:Да

24CO2N - энергонезависимая память (2кбит, SOIC-8) - оригинал Atmel

24CO2N - энергонезависимая память (2кбит, SOIC-8) - оригинал Atmel

24CO2N - энергонезависимая память (2кбит, SOIC-8) - оригинал AtmelПроизводитель:Atmel

GM71C4256A-70 - КМОП динамическое ОЗУ (262,144 слова x 4 бит, DIP-20) - оригинал Goldstar

GM71C4256A-70 - КМОП динамическое ОЗУ (262,144 слова x 4 бит, DIP-20) - оригинал Goldstar

GM71C4256A-70 - КМОП динамическое ОЗУ (262,144 слова x 4 бит, DIP-20) - оригинал Goldstar

M27C256B-12F6L – микросхема памяти (CDIP28) – оригинал ST

M27C256B-12F6L – микросхема памяти (CDIP28) – оригинал ST

M27C256B-12F6L – микросхема памяти (CDIP28) – оригинал STПроизводитель:STMicroelectronicsВес изделия:5.38 г

AT45DB321D-TU - флэш-память типа DataFlash (66МГц, 2.7-3.6В, TSOP-28) - оригинал Atmel

AT45DB321D-TU - флэш-память типа DataFlash (66МГц, 2.7-3.6В, TSOP-28) - оригинал Atmel

AT45DB321D-TU - флэш-память типа DataFlash (66МГц, 2.7-3.6В, TSOP-28) - оригинал Atmel

AT45DB321D-TU - флэш-память типа DataFlash (66МГц, 2.7-3.6В, TSOP-28) - оригинал AtmelПроизводитель:Atmel

AT45DB161B-TI – флэш-память типа DataFlash (20МГц, 16Мбит, 2.7-3.6В, TSOP-28) – оригинал Microchip

AT45DB161B-TI – флэш-память типа DataFlash (20МГц, 16Мбит, 2.7-3.6В, TSOP-28) – оригинал Microchip

AT45DB161B-TI – флэш-память типа DataFlash (20МГц, 16Мбит, 2.7-3.6В, TSOP-28) – оригинал Microchip

AT45DB161B-TI – флэш-память типа DataFlash (20МГц, 16Мбит, 2.7-3.6В, TSOP-28) – оригинал MicrochipПроизводитель:Microchip Technology Inc.

GD25Q16CSIG - флэш-память технология FLASH-NOR (2.7В÷3.6В, 16МБ, 80МГц) - оригинал GigaDevice

GD25Q16CSIG - флэш-память технология FLASH-NOR (2.7В÷3.6В, 16МБ, 80МГц) - оригинал GigaDeviceОригинал:Да

24AA08-I/P - память EEPROM (1.8В÷5.5В, 1КБх8, 100КГц/400КГц) - оригинал Microchip

24AA08-I/P - память EEPROM (1.8В÷5.5В, 1КБх8, 100КГц/400КГц) - оригинал MicrochipОригинал:Да

AT24C16C-SSHM-T - память Serial EEPROM (16Кбит (2048х8), 1.7В÷5.5В, 1МГц, SOIC-8) - оригинал Microchip

AT24C16C-SSHM-T - память Serial EEPROM (16Кбит (2048х8), 1.7В÷5.5В, 1МГц, SOIC-8) - оригинал MicrochipОригинал:Да

FM24V10-GTR - микросхема энергонезависимой памяти (2В÷3.6В, 1Мбит F-RAM (128Кбитх8), 3.4МГц, I²C, SOIC-8) - оригинал CYPRESS

FM24V10-GTR - микросхема энергонезависимой памяти (2В÷3.6В, 1Мбит F-RAM (128Кбитх8), 3.4МГц, I²C, SOIC-8) - оригинал CYPRESSОригинал:Да

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.