Радиодар - интернет магазин электронных компонентов

КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Все категории

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Все категории

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Все категории

Найти

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Популярные товары

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba148 ₽

GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")

GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")66 ₽

Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip

Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip88 980 ₽

Смотреть все

Новости

15 октября 2024

Новая форма запроса доставки под заказ

4 июня 2024

Для поддержки производства полупроводников в Китае создаётся третий фонд объемом 47,5 миллиардов долларов.

29 апреля 2024

Отказываемся от доставки Л-Пост

Смотреть все

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

Популярные категории

ШИМ-контроллеры

Корпусные элементы

Микросхемы

Аналоговые коммутаторы и мультиплексоры

Генераторы, детекторы, смесители (управление частотами)

Для аудио

Для видео

Процессоры

Для принтеров

Материнские платы

Популярные категории

ШИМ-контроллеры47 товаров

ШИМ-контроллеры

Корпусные элементы20 товаров

Корпусные элементы

Микросхемы1129 товаров

Микросхемы

Процессоры14 товаров

Процессоры

Для принтеров2 товара

Для принтеров

Материнские платы4 товара

Материнские платы

Популярные товары

Популярные товары

Хит!

FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ON

FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ON

FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ON

FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ON

40FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ONПолное наименование:IGBT транзистор FGH40N60SFDTUПроизводитель:ON SemiconductorPart Number:FGH40N60SFDProduct Specifications No:FGH40N60SFDTUСтрана производитель: Made in China

Made in China

Производственные линии ON Semiconductor в Китае, Сингапуре и Малайзии

GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")

GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")

2GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")Состояние:НовыйPart Number:GX16-8AProduct Specifications No:GX16 16M-8AГод выпуска:2024Серия разъемов:GX16

GX16-8B вилочное гнездо на панель (8-пин "папа")

GX16-8B вилочное гнездо на панель (8-пин "папа")

2GX16-8B вилочное гнездо на панель (8-пин "папа")Состояние:НовыйPart Number:GX16-8BProduct Specifications No:GX16 16M-8BГод выпуска:2024Серия разъемов:GX16

DUE R3 Board SAM3X8E 32-битный контроллер ARM Cortex-M3 (Arduino)

DUE R3 Board SAM3X8E 32-битный контроллер ARM Cortex-M3 (Arduino)

DUE R3 Board SAM3X8E 32-битный контроллер ARM Cortex-M3 (Arduino)

DUE R3 Board SAM3X8E 32-битный контроллер ARM Cortex-M3 (Arduino)

DUE R3 Board SAM3X8E 32-битный контроллер ARM Cortex-M3 (Arduino)Полное наименование:Arduino DUE R3 SAM3X8EОригинальное наименование:Arduino DUE R3Год выпуска:2020Состояние:НовыйТип упаковки:Пластиковая паллета

Хит!

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba

50 1GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaПолное наименование:GT50JR22 - биполярный транзистор с изолированным затворомПроизводитель:ToshibaPart Number:GT50JR22Product Specifications No:50JR22Оригинальное наименование:Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT50JR22

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

24DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBMПолное наименование:DF9225S12HОригинал:ДаГод выпуска:Ноябрь 2021 г.Состояние:НовыйТип упаковки:Коробка

Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip

Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip

Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip

Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip

GX16-4A розеточный штекер на кабель (4-пин "мама")

GX16-4A розеточный штекер на кабель (4-пин "мама")

2GX16-4A розеточный штекер на кабель (4-пин "мама")Состояние:НовыйPart Number:GX16-4AProduct Specifications No:GX16 16M-4AГод выпуска:2024Серия разъемов:GX16

FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON Semi

FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON Semi

FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON Semi

FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON Semi

FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON Semi

14FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON SemiМаркировка на корпусе:FGH40N60SMDГод выпуска:2020Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:30 штук в рейке, 450 штук в заводской коробкеОригинал:Да

Представленные бренды производителей

Смотреть всех

OMRON

Panasonic

Fairchild

Philips

NXP

Nanjing Token Electronics Science & Technology Co., Ltd.

Niko Semicoductor CO.

Fujisoku (Nidec) Copal

Vishay

TPOWER

Последние новости

Смотреть все

15 октября 2024

Евгения Семихова

Евгения Семихова

Новая форма запроса доставки под заказ

Внедрили автоматическую форму оформления заявки на поставку под заказ с любых торговых площадок стран Азии. Запрос поступает в отдел закупок и в течении 48 часов будет предоставлен ответ в виде КП (коммерческое предложение)....

4 июня 2024

Евгения Семихова

Евгения Семихова

Для поддержки производства полупроводников в Китае создаётся третий фонд объемом 47,5 миллиардов долларов.

Согласно данным реестра государственных компаний официального Пекина – Китай реализует третий запланированный (утвержденный 24 мая 2024 года) инвестиционный фонд государственной поддержки для стимулирования собственной полупроводниковой промышленности с...

29 апреля 2024

Евгения Семихова

Евгения Семихова

Отказываемся от доставки Л-Пост

В связи с большим количеством возникающих проблем с логистической компанией Л-Пост мы приняли решение отказать от услуг данного перевозчика и отключить от нашего сайта....

Последние отзывы

SGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал Silan

SGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал Silan

5.0

Денис

2 августа 2024

Поставил в сварочный инвертор .Пока работает.Слева оригинал .Справа Ваш .Есть отличие по цвету меди. Кристалл вроде по размеру одинаковый.

читать далее

TYN1225 тиристоры (1200В, 25А, TO-220) - производство LYD (Китай)

TYN1225 тиристоры (1200В, 25А, TO-220) - производство LYD (Китай)

5.0

Максим

20 июня 2024

Ок

читать далее

TYN1225 тиристоры (1200В, 25А, TO-220) - производство LYD (Китай)

TYN1225 тиристоры (1200В, 25А, TO-220) - производство LYD (Китай)

5.0

Максим

20 июня 2024

Ок

читать далее

RJP63K2 - IGBT транзистор в планарном исполнении (630В, 35А, TO-263) - оригинал Renesas

RJP63K2 - IGBT транзистор в планарном исполнении (630В, 35А, TO-263) - оригинал Renesas

5.0

Евгения

5 июня 2024

Отзыв с нашего магазина "Радиодар" на маркетплейсе OZON

читать далее

КТ816А транзистор PNP

КТ816А транзистор PNP

5.0

Максим

17 мая 2024

Ok

читать далее

КТ817В - биполярный NPN транзистор (60В, 3А, 25Вт, 3МГц, TO-126, КТ-27) - Интеграл

КТ817В - биполярный NPN транзистор (60В, 3А, 25Вт, 3МГц, TO-126, КТ-27) - Интеграл

5.0

Максим

17 мая 2024

Ok

читать далее

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.