1SMB5917BT3G - стабилитрон 4.7В/3Вт (4.46В÷4.94В/79.8мА, до 319мА, 3Вт, CASE 403A-03) - оригинал ON
Бренд:
ON SemiconductorХарактеристики
Нормаупаковка | |
Оригинал 
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | 1SMB5917BT3G |
Технические параметры | |
Тип корпуса диода | SMB (DO-214AA) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Схема диодного изделия | Стабилитрон |
Источник характеристик | https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/1smb5913bt3-d.pdf |
Номинальное напряжение стабилизации VZ | 4.7 В |
Минимальное напряжение стабилизации VZ | 4.46 В |
Максимальное напряжение стабилизации VZ | 4.94 В |
Испытательный ток стабилизации IZT | 0.0798 А |
Паспортная мощность рассеяния | 3 Вт |
Условия напряжения и мощности стабилитрона | VZ при указанном IZT и TL=30 °C; PD=3 Вт при TL=75 °C, при TA=25 °C на FR-4 — 0,55 Вт. |
Максимальное динамическое сопротивление ZZT, Ом | 5 |
Максимальный обратный ток утечки IR, мкА | 5 |
Напряжение измерения тока утечки VR | 1.5 В |
Максимальный ток стабилизации IZM | 0.319 А |
Максимальное прямое напряжение VF | 1.5 В |
Ток измерения прямого напряжения IF | 0.2 А |
Минимальная температура перехода TJ | -65 °C |
Максимальная температура перехода TJ | 150 °C |
Условия дополнительных характеристик стабилитрона | ZZT при указанном IZT; IR при VR и TL=30 °C; IZM по таблице, мощность ограничивается температурой и охлаждением. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.