2MBI1200XXE120P-50 - модуль силовой IGBT-полумост (2х{1200В/1200А, ±20В}, 7100Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал Fuji

2MBI1200XXE120P-50 - модуль силовой IGBT-полумост: 2-транзистора c общим коллектор-эмиттером, встроенными обратными диодами и терморезистором (2х{максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±20В/типовое пороговое 6.5В, максимальный ток коллектор-эмиттер 1200А/2400А_одиночный импульс 1мс, макс. падение напряжения Uкэ=1.85В/при Uзэ=15В и Iк=1200А, встроенные: обратный диод К-Э, терморезистор NTC 5кОм±5%; время задержки включения/выключения_1.1мкс/0.97мкс}, металлическая подошва для радиатора, до 7100Вт, -40°С÷150°С, 10 выводов с винтовым зажимом 7хМ4 (3-силовых_4хМ8), 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал Fuji Electric