2N7000 - N-канальный полевой транзистор (60В, 0,2А, TO-92) - производство JSCJ
2N7000 — малосигнальный N-канальный полевой MOSFET-транзистор производства JSCJ (Jiangsu Changjiang Electronics Technology). Применяется как электронный ключ в маломощных схемах, устройствах управления нагрузкой и преобразователях питания. Максимальное напряжение сток–исток VDS — 60 В, длительный ток стока ID — 200 мА, максимальная рассеиваемая мощность PD — 625 мВт при Ta=25 °C. Максимальное сопротивление открытого канала RDS(on) — 5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА (импульсное испытание), либо 6 Ом при VGS=4,5 В, ID=75 мА. Порог затвора VGS(th) 0,8–3 В при ID=1 мА. Эти параметры следует учитывать при выборе напряжения управления затвором.
Выводной пластиковый корпус TO-92, 3 вывода. По схеме производителя: 1 — Source (исток), 2 — Gate (затвор), 3 — Drain (сток). Официальный datasheet: Официальный datasheet JSCJ (PDF)
Предложение поставщика по программе «Радиодар-Предзаказ»: новые изделия, год выпуска предлагаемой партии — 2026; прямая поставка, заводская упаковка Bulk — 1000 шт./пакет. Цена — 6 руб./шт., включая НДС 5%, заказ от 1 штуки. Товар размещён под заказ, наличие на складе не заявлено, сроки и доступное количество подтверждаются при обработке заявки.
Запросить поставку
Цена указана за 1 шт., включая НДС 5%. Продажа от одной штуки. Срок и доступное количество уточняются. Оптовые условия по данной поставке подтверждаются отдельно при обработке запроса.
Отправить запрос на поставку 2N7000 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11022715.
Нормаупаковка | |
Количество контактов | 3 |
Тип корпуса | TO-92 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | JSCJ |
Part Number | 2N7000 |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2026 (предлагаемая партия) |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Bulk (пакет) |
Количество в упаковке | 1000 шт./пакет (заводская упаковка) |
Тип транзистора | MOSFET, N-канальный |
Функциональная категория | Полевой транзистор |
Особенности | VGS(th) 0,8–3 В при ID=1 мА; RDS(on) до 5 Ом при VGS=10 В; типичная схема применения — электронный ключ |
Маркировка на корпусе | 2N 7000 и код партии |
Технические параметры | |
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C | 0,625 Вт при Ta=25 °C |
Напряжение (Umax) | 60 В (VDS) |
Максимальный ток (Imax) | 200 мА (ID, Ta=25 °C) |
Условия эксплуатации | |
Температура эксплуатации | Температура перехода Tj: −55…+150 °C |
Температура хранения | −55…+150 °C |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Функциональная характеристика | VDS 60 В; ID 200 мА; RDS(on) ≤5 Ом при VGS=10 В; TO-92 |
Функциональный тип | N-канальный MOSFET |
Расположение на складе | |
Примечание | Под заказ. Новые, прямая поставка; предлагаемый год 2026. Срок и наличие уточняются. Логистический вес: расчётные 1 г/шт. |
Условия характеристики тока | ID 200 мА при Ta=25 °C по datasheet (не при Tc=25 °C) |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 60 В |
Тип монтажа | THT (выводной) |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
