2N7002LT1G - N-канальный полевой транзистор (60В, ±20В, 115мА, 13.5 Ом, 20нс/40нс, 225мВт, SOT-23-3) - оригинал ON
Бренд:
ON SemiconductorХарактеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | SOT23 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | 2N7002LT1G |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | Полевой |
Расположение на складе | |
Условия характеристики тока | Токи указаны по модулю: ±115 мА при Tc=25 °C, ±75 мА при Tc=100 °C; допустимый ток может ограничиваться мощностью корпуса. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 60 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 0.115 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 0.075 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 0.8 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 7500 |
Условия измерения RDS(on) | VGS = 10 В; ID = 500 мА; Tc = 25 °C; импульс ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2%. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 1 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 2.5 В |
Условия измерения VGS(th) | Ta = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА; импульс ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2%. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.