Доставка под заказ (из любой точки мира)
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микрокомпьютеры
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Ферриты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
Конструкторы
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Все категории
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
  • Конструкторы
Найти
Доставка под заказ (из любой точки мира)

AIHD04N60RF - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 4 А, TO-252-3-313) - оригинал Infineon

Поделиться
AIHD04N60RF - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 4 А, TO-252-3-313) - оригинал Infineon
Бренд:
Infineon
AIHD04N60RF: силовой транзистор БТИЗ (IGBT), 600 В, 4 А, TO-252-3-313. Применение и электрические особенности в описании.

Характеристики
Тип корпуса:
TO-252-3-313
Производитель:
Infineon
Part Number:
AIHD04N60RF
Смотреть все
Информация о доставке
Ваш город (нажмите для выбора):
Почта
Самовывоз
Курьер
Почта России
Рассчитываем стоимость доставки...
Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)
Рассчитываем стоимость доставки...
ОЗОН - тестовая
Рассчитываем стоимость доставки...
5Post
Рассчитываем стоимость доставки...
КИТ до терминала
Рассчитываем стоимость доставки...
КСЭ - медленно
Рассчитываем стоимость доставки...
СДЭК Курьер
Рассчитываем стоимость доставки...
Деловые Линии
Рассчитываем стоимость доставки...
Информация от: 1 ноября 2026 г.
Артикул: 11900701
Этот товар временно недоступен для заказа
Продано: 0 шт.
Цена по запросу
Сообщить о поступлении
Сообщить о поступлении товара
Ваша просьба принята!

Вы получите уведомление о поступлении товара в продажу на указанные Вами контакты
Ваш E-Mail
Номер моб. телефона (SMS)
Актуальность
- обязательно к заполнению
Проверка...
Заказ по телефону:+7-900-272-92-92
Описание

AIHD04N60RF — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производства Infineon Technologies, напряжение 600 В, токовый класс 4 А, корпус TO-252-3-313. Силовой обратнопроводящий IGBT в компактном корпусе для коммутации в частотных преобразователях и маломощных электроприводах. В зависимости от полной ревизии исполнения может содержать монолитный антипараллельный диод. Токовые ограничения при Tc=25°C и Tc=100°C и наличие автомобильной квалификации требуют проверки по оригинальному datasheet. При выборе аналога сравните тепловое сопротивление, топологию, характеристики диодов, номинальное напряжение драйвера и требования к монтажу.

Официальная страница точного заказного номера не подтверждена; перед применением требуется сверить паспортные режимы и топологию.

Запросить поставку

Цена и срок поставки по запросу, наличие и характеристики партии уточняются менеджером.

Отправить запрос на поставку AIHD04N60RF или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11900701.

Характеристики
Нормаупаковка
Тип корпуса
TO-252-3-313
Общая информация
Производитель

Производитель (бренд) товара.

Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру

Infineon
Part Number
AIHD04N60RF
Оригинал

Оригинальность товара характеризует источник поставки:

  • "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя
  • "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов

В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки

Да
Тип транзистора
силовой транзистор БТИЗ (IGBT)
Функциональная категория
БТИЗ (IGBT)
Вес и габариты
Вес изделия
4 г
Функциональная характеристика
600 В, класс 4 А, TO-252-3-313
Функциональный тип
силовой транзистор БТИЗ (IGBT)
Расположение на складе
Примечание
Сведения о конкретной партии и массу для логистики следует уточнить. Масса предварительная.
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.)
600 В
Отзывы

Loading...
Диодные мосты
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.