AIHD04N60RF - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 4 А, TO-252-3-313) - оригинал Infineon
AIHD04N60RF — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производства Infineon Technologies, напряжение 600 В, токовый класс 4 А, корпус TO-252-3-313. Силовой обратнопроводящий IGBT в компактном корпусе для коммутации в частотных преобразователях и маломощных электроприводах. В зависимости от полной ревизии исполнения может содержать монолитный антипараллельный диод. Токовые ограничения при Tc=25°C и Tc=100°C и наличие автомобильной квалификации требуют проверки по оригинальному datasheet. При выборе аналога сравните тепловое сопротивление, топологию, характеристики диодов, номинальное напряжение драйвера и требования к монтажу.
Официальная страница точного заказного номера не подтверждена; перед применением требуется сверить паспортные режимы и топологию.
Запросить поставку
Цена и срок поставки по запросу, наличие и характеристики партии уточняются менеджером.
Отправить запрос на поставку AIHD04N60RF или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11900701.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-3-313 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | AIHD04N60RF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 4 г |
Функциональная характеристика | 600 В, класс 4 А, TO-252-3-313 |
Функциональный тип | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Сведения о конкретной партии и массу для логистики следует уточнить. Масса предварительная. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |




































