AIHD10N60RF - транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 10 А, TO-252-3-313) - оригинал Infineon
AIHD10N60RF — автомобильный обратнопроводящий IGBT производства Infineon Technologies. Напряжение коллектор–эмиттер VCE: 600 В. Корпус: TO-252-3-313. Характеристика по доступным данным: токовый класс 10 А. Технология/семейство: TRENCHSTOP RC. Типичные области применения: компактные преобразователи с мягкой коммутацией. Для выбора аналога сверяют наличие обратного диода, VCE(sat), энергию переключения Eon/Eoff, заряд затвора, тепловое сопротивление, допустимую температуру перехода и цоколёвку.
Справочный источник: https://www.tme.com/in/en/details/aihd10n60rfatma1/smd-igbt-transistors/infineon-technologies/
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-3-313 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | AIHD10N60RF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | автомобильный обратнопроводящий IGBT |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 600 В; TO-252-3-313; TRENCHSTOP RC; токовый класс 10 А |
Функциональный тип | автомобильный обратнопроводящий IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические и тепловые параметры зависят от условий измерения; совместимость проверяют по заводскому datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
