AON6512 - N-канальный MOSFET транзистор (30В, 130А при Tc=100°C, 7.4Вт при Ta=25°C, DFN5X6) - оригинал AOS
Характеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | DFN5x6 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Alpha and Omega Semiconductor |
Part Number | AON6512 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2020+ |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 2 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | "ПОЛЕВЫЕ -8-" |
Условия характеристики тока | При VGS = 10 В: 210 А при Tc = 25 °C, 130 А при Tc = 100 °C. На испытательной плате указаны 54 А при Ta = 25 °C и 43 А при Ta = 70 °C; см. условия теплоотвода в паспорте. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 30 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 210 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 130 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 450 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 1.7 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 20 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 1 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 2 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 53 |
Условия измерения Qg | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; VDS = 15 В; ID = 20 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 1.05 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 118 Вт |
Рассеиваемая мощность при Tc = 100 °C (макс.) | 45 Вт |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (макс.), нКл | 64 |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 3430 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tj = 25 °C; VGS = 0 В; VDS = 15 В; f = 1 МГц. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели AON6512 - N-канальный MOSFET транзистор (30В, 130А при Tc=100°C, 7.4Вт при Ta=25°C, DFN5X6) - оригинал AOS, также купили
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.