BAS16HT1G - быстрый импульсный диод (100В, 200мА, 1.25В@150мА, 6нс, 200мВт, SOD-323) - оригинал Onsemi
Бренд:
ON SemiconductorХарактеристики
Нормаупаковка | |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | N/A+ |
Количество в упаковке | 3000шт. |
Тип упаковки | лента, намотанная на бобину |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | BAS16HT1G |
Технические параметры | |
Тип корпуса диода | SOD-323 |
Условия эксплуатации | |
Vобрат., max | 100В |
Iпрям, max | 200мА |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Паспортное обратное напряжение VR | 100 В |
Условия прямого тока | Пиковый прямой ток IF 0,2 А; не приравнивать его к среднему IF(AV). |
Схема диодного изделия | Одиночный диод |
Время обратного восстановления и условия | trr ≤6 нс при IF=IR=10 мА; остальные условия приведены в паспорте. |
Источник характеристик | https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/bas16ht1-d.pdf |
Максимальное прямое напряжение VF | 1.25 В |
Ток измерения прямого напряжения IF | 0.15 А |
Условия измерения прямого напряжения | Максимум VF при IF=150 мА; TA=25 °C. |
Максимальный обратный ток IR, мкА | 1 |
Напряжение измерения обратного тока VR | 100 В |
Условия измерения обратного тока | Максимальный обратный ток при VR=100 В и TA=25 °C. |
Максимальная ёмкость диода, пФ | 2 |
Условия ёмкости диода | При VR=0 В и f=1 МГц; TA=25 °C. |
Отзывы

Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.




































