BCR169E6327HTSA1 SOT-23 Infineon
Бренд:
Infineon Technologies AGХарактеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | SOT23 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | BCR169E6327HTSA1 |
Тип транзистора | биполярный |
Расположение на складе | |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 50 В |
Структура транзистора / тип канала | PNP |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 120 |
Коэффициент усиления hFE (макс.) | 630 |
Условия измерения hFE | Ta = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 5 мА; импульс менее 300 мкс; коэффициент заполнения менее 2%. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 50 В |
Граничная частота fT (тип.) | 200 МГц |
Условия измерения fT | Ta = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 10 мА; f = 100 МГц. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 0.3 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Ta = 25 °C; IC = 10 мА; IB = 0,5 мА; импульс менее 300 мкс; коэффициент заполнения менее 2%. |
Номинальный входной резистор R1, кОм | 4.7 |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Материал полупроводника | Кремний |
Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.