КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Все категории

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Все категории

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Все категории

Найти

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

Оставить отзыв

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой с обратным диодом (максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600В, максимальный ток коллектор-эмиттер 80А/120А импульсный, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±20В/типовое пороговое 4.9В, типовое напряжение насыщения Uкэ=1.9В/при Uзэ=15В и Iк=40А, типовое время задержки включения/выключения_56нс/178нс, до 280Вт, -40°С÷150°С, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство China Resources Microelectronics Limited

Характеристики

Part Number:

CRG40T60AN3H

Оригинал:

Да

Год выпуска:

2024

Смотреть все

Почта

Самовывоз

Курьер

Почта России

Рассчитываем стоимость доставки...

Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)

Рассчитываем стоимость доставки...

Рассчитываем стоимость доставки...

КИТ до терминала

Рассчитываем стоимость доставки...

КСЭ - медленно

Рассчитываем стоимость доставки...

СДЭК Курьер

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Информация от: 1 апреля 2026 г.

Артикул: 10103771

В наличии (г.Краснодар): 6 шт

Под заказ ( 2 - 3 недели): Нет в наличии

Продано: 164 шт.

120 ₽

включая НДС 5%

Количество:

Быстрый заказ в 1 клик

Оптовые скидки:

От 10 шт	114 руб.
От 100 шт	108 руб.
От 1000 шт	96 руб.

Заказ по телефону:+7-900-272-92-92

Характеристики

Общая информация
Part Number	CRG40T60AN3H
Оригинал Оригинальность товара характеризует источник поставки: "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки	Да
Год выпуска Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"	2024
Вес и габариты
Вес изделия	7 г
Расположение на складе
Магазин (на Коммунаров)	"Е-11-" ячейка на стеллаже IGBT транзисторов

Отзывы

Обсуждение

Ссылки

Наши группы в социальных сетях

Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:

Группа Радиодар в инстаграмме

Группа Китайдар в социальной сети Вконтакте

Группа радиодар в сети Одноклассники

Покупатели, которые приобрели CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO, также купили

IRF9Z24N -полевой P-канальный транзистор (55В, 12А, TO-220AB) -оригинал Infineon

IRF9Z24N -полевой P-канальный транзистор (55В, 12А, TO-220AB) -оригинал Infineon

53 ₽

DF9225S12UH - вентилятор 92*92*25 (12В, 0.42А, 4000об/мин) - оригинал XBM

DF9225S12UH - вентилятор 92*92*25 (12В, 0.42А, 4000об/мин) - оригинал XBM

342 ₽

100мкФ*400В -электролитический конденсатор (100uF/400V, ±20%, LW(R), -40+105°C, 18*30мм) - JYCDR

100мкФ*400В -электролитический конденсатор (100uF/400V, ±20%, LW(R), -40+105°C, 18*30мм) - JYCDR

62 ₽

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

287 ₽

КТ817В - биполярный NPN транзистор (60В, 3А, 25Вт, 3МГц, TO-126, КТ-27) - Интеграл

КТ817В - биполярный NPN транзистор (60В, 3А, 25Вт, 3МГц, TO-126, КТ-27) - Интеграл

9,45 ₽

RVS28P-B103-K20 - переменный резистор (10к, 2Вт, 3 выв., высота 20 мм, RVS28) - производство Hungyun

RVS28P-B103-K20 - переменный резистор (10к, 2Вт, 3 выв., высота 20 мм, RVS28) - производство Hungyun

75 ₽

1500мкФ*10В -конденсатор электролитический (1500uF/10V, ±20%, LW(R), -40+105°C, 10*13мм) - JYCDR

1500мкФ*10В -конденсатор электролитический (1500uF/10V, ±20%, LW(R), -40+105°C, 10*13мм) - JYCDR

7 ₽

1000мкФ*35В электролитический конденсатор (1000uF/35V, ±20%, LowESR, -40+105°C, 13*21мм) производство JYCDR

1000мкФ*35В электролитический конденсатор (1000uF/35V, ±20%, LowESR, -40+105°C, 13*21мм) производство JYCDR

12 ₽

CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICRO

CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICRO

174 ₽

KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай

KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай

55 ₽

75 ₽

- 26%

20 ₽

IRFZ24N - N-канальный полевой транзистор (55В, 17А, TO-220) - оригинал IR/Infineon

IRFZ24N - N-канальный полевой транзистор (55В, 17А, TO-220) - оригинал IR/Infineon

38 ₽

2200пФ*630В -пленочные PET конденсаторы (2.2нФ, 630В, ±5%, 2J222J) -аналог К73-9

2200пФ*630В -пленочные PET конденсаторы (2.2нФ, 630В, ±5%, 2J222J) -аналог К73-9

7 ₽

Диодные мосты

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.