DGTD120T25S1PT - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, 25 А, TO-247-3) - DIODES
DGTD120T25S1PT — Полевой стоп-слой (Field Stop Trench IGBT) Diodes Incorporated, VCES=1200 В, непрерывный IC при Tc=100°C около 25 А (по маркировке и серии). С быстрым антипараллельным диодом. Используется в сварочных инверторах, управлении двигателями, солнечных инверторах, UPS и индукционных нагревателях. При выборе аналога сравнивают VCEsat, Eon/Eoff, восстановление диода, ток при Tc=25/100°C и тепловое сопротивление. Статус изготовителя: NRND / PCN EOL planned 2026-11-05. Перед монтажом необходимо проверить точную маркировку партии и заводскую распиновку.
Технический источник: https://www.diodes.com/part/view/DGTD120T25S1PT
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | DIODES |
Part Number | DGTD120T25S1PT |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Функциональная категория | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 6 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, 25 А, TO-247-3 |
Функциональный тип | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Параметры конкретной партии проверяются по официальной документации. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
