FF1000R17IE4DP_B2 - полумостовой IGBT-модуль (1700 В, 1000 А, PrimePACK™ 3) - оригинал Infineon
FF1000R17IE4DP_B2 — полумостовой IGBT-модуль производства Infineon Technologies. Топология: half-bridge; исполнение: PrimePACK™ 3. Класс напряжения: 1700 В. Номинальный токовый класс: 1000 А. При выборе замены сверять схему выводов, потери, охлаждение и изоляцию.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Цену и сроки поставки уточняйте по запросу.
Отправить запрос на поставку FF1000R17IE4DP_B2 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023282.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | PrimePACK™ 3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF1000R17IE4DP_B2 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В, 1000 А, PrimePACK™ 3; half-bridge |
Функциональный тип | half-bridge |
Расположение на складе | |
Примечание | Неподтверждённые параметры не заполняются. Сверять по datasheet точного P/N. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
