FF100R12KS4 - силовой транзисторный модуль (IGBT, полумост, 1200 В, 100 А, 62 мм) - Infineon
FF100R12KS4 — IGBT-полумост Infineon Technologies AG, 1200 В, номинальный класс 100 А, корпус 62-мм модуль. Модуль-полумост на двух IGBT2 Fast для частых коммутаций. По данным Infineon: 1200 В, номинальный ток 100 А, корпус 62 мм, изолированное основание, типовое VCE(sat) 3,2 В. Применяется в приводах, промышленных UPS и преобразователях с повышенными требованиями к динамическим потерям. В обсуждении Infineon Developer Community поясняется: суммарный резистор затвора Rg равен сумме внутреннего и внешнего; номинал выбирают по данным конкретного модуля и реальному режиму, а не произвольно.
Техническая документация производителя: https://www.infineon.com/part/FF100R12KS4
Источник обсуждения: https://community.infineon.com/t5/IGBT/Minimum-Gate-Resistance-for-FF300R12KS4/td-p/402237
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 62-мм модуль |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | FF100R12KS4 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | В индивидуальных пакетах |
Количество в упаковке | 10 штук в коробе |
Тип транзистора | IGBT-полумост |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 340 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, 100 А, 62-мм модуль |
Функциональный тип | IGBT-полумост |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Отдельный короб с надписью "IGBT модули -1-" |
Примечание | Точные электрические параметры и условия переключения указаны в datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Конфигурация транзистора | Полумост |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 3.2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
