FF100R12RT4 - Infineon
FF100R12RT4 — силовой IGBT-модуль Infineon с двумя управляемыми транзисторами, включёнными по схеме полумоста (Half Bridge), и двумя быстрыми антипараллельными диодами Emitter Controlled 4. Технология Trench/Fieldstop IGBT4, изолированное основание и стандартный корпус Infineon 34 мм. По заводскому datasheet Infineon Rev 2.1 от 05.11.2013: максимальное напряжение коллектор–эмиттер VCES 1200 В; номинальный ток I_Cnom=100 А при Tc=100 °C, Tvjmax=175 °C; повторный пиковый ток ICRM=200 А, длительность импульса 1 мс; предельная рассеиваемая мощность одного ключа 555 Вт при Tc=25 °C; типовое VCEsat 1,75 В при I_C=100 А, VGE=15 В, Tvj=25 °C. Рабочая температура кристалла до 150 °C. Масса изделия по datasheet 160 г. Применяется в промышленных инверторах, приводах, мощных преобразователях, UPS.
Год выпуска, состояние и цена на предлагаемую партию не указаны. Действующая карточка ранее существовала в 1С и магазине, поэтому сохранена без создания дубликата, цена отсутствует, складской остаток 0 шт. Для заказа — запрос предложения.
Официальный datasheet: https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/non-assigned/49/infineon-ff100r12rt4-datasheet-en.pdf
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | Модуль Infineon 34 мм (Half Bridge) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | FF100R12RT4 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT-модуль, полумост 2 ключа |
Функциональная категория | Транзисторный модуль |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 160 г |
Функциональная характеристика | VCES=1200 В; ICnom=100 А; ICRM=200 А; 34-мм модуль; 160 г |
Функциональный тип | IGBT4 Trench/Fieldstop, полумост |
Расположение на складе | |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 100 А |
Условия характеристики тока | Номинальный Ic=100 А при Tc=100 °C; ICRM=200 А, tp=1 мс; данные заводского модуля |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 555 Вт |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
