FF150R12KS4 - силовой транзисторный модуль (IGBT, полумост, 1200 В, 150 А, 62 мм) - Infineon
FF150R12KS4 — IGBT-модуль Infineon на два силовых ключа в конфигурации полумоста (half-bridge) с антипараллельными диодами. По официальной спецификации: напряжение VCES=1200 В, номинальный ток ICnom=150 А, технология Fast IGBT2 с коротким хвостовым током, VCE(sat) тип. 3,2 В, корпус 62 мм с изолированным медным основанием. Применяется в электроприводах, промышленных UPS, силовых преобразователях и тяговой электронике. Важно рассчитывать индуктивность шин DC, цепи драйверов верхнего и нижнего плеча, dead-time, снабберные цепи и охлаждение; модуль не взаимозаменяем с одиночным транзистором. Подбор внешнего сопротивления затвора Rg зависит от фактических режимов коммутации.
Официальная карточка производителя: https://www.infineon.com/part/FF150R12KS4
Практика выбора резистора затвора в силовых модулях: https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Double-pulse-test-Part-2-FAQs/ta-p/1188053
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 62-мм модуль AG-62MMHB |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | FF150R12KS4 |
Тип транзистора | силовой транзисторный модуль (IGBT, полумост) |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 350 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, 150 А, 62-мм модуль AG-62MMHB |
Функциональный тип | силовой транзисторный модуль (IGBT, полумост) |
Расположение на складе | |
Примечание | Параметры подтверждать по datasheet конкретного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 150 А |
Конфигурация транзистора | Полумост |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 3.2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |





































