FF200R12KS4 - силовой транзисторный модуль (IGBT, полумост, 1200 В, 200 А, 62 мм) - Infineon
FF200R12KS4 — полумостовой силовой IGBT-модуль Infineon Technologies, класс 1200 В, номинальный ток 200 А, корпус 62-мм корпус AG-62MMHB. Технология IGBT2 Fast. Высокочастотные промышленные преобразователи, UPS, регулируемые электроприводы. Исполнение с изолированным основанием, быстрым диодом. При проектировании важно рассчитывать сопротивление затвора, потери на проводимость и переключение, изоляционные зазоры, тепловое сопротивление и условия охлаждения.
Официальная техническая карточка изготовителя: https://www.infineon.com/part/FF200R12KS4
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 62-мм корпус AG-62MMHB |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | FF200R12KS4 |
Тип транзистора | IGBT-модуль, полумост |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 350 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, 200 А, 62-мм корпус AG-62MMHB |
Функциональный тип | IGBT2 Fast |
Расположение на складе | |
Примечание | При замене проверить заводской datasheet и условия эксплуатации. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Конфигурация транзистора | Полумост |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 3.2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
