FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал Infineon

Поставляемые напрямую от производителя по промышленному ордерному заказу мощные силовые модули модели FF200R12KT4 представляют собой сборку из сдвоенных IGBT транзисторов в одном корпусе со специальной металлической площадкой для монтажа на радиатор большой площади для более лучшего теплоотвода.

Описание

Силовой IGBT-модуль FF200R12KT4 представляет собой мощный полупроводниковый компонент, предназначенный для использования в высокоэффективных инверторах, преобразователях и других силовых электронных устройствах. Этот модуль сочетает в себе преимущества биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) и диодов, обеспечивая высокую производительность и надежность в управлении мощными нагрузками.

Краткие технические характеристики

Тип структуры модуля: IGBT (БТИЗ)
Максимальное напряжение: 1200 Вольт
Номинальный ток: 200 Ампер
Максимальная температура: 150°С
Схемные особенности: быстродействующие диоды для обратного восстановления
Тип корпуса: Модульный, с изоляцией и металлической платформой для монтажа на радиатор

Сфера применения

• Оригинальные IGBT-модули FF200R12KT4 широко используется в различных областях силовой электроники, включая:
• Промышленные инверторы: Применяется в системах управления электродвигателями и преобразователях частоты.
• Энергетика: Используется в системах преобразования энергии, таких как солнечные и ветровые электростанции.
• Транспорт: Применяется в тяговых системах для железнодорожного и электротранспорта.
• Бытовая техника: Используется в мощных бытовых устройствах, таких как кондиционеры и стиральные машины.

Основные преимущества

Высокая эффективность: Обеспечивает минимальные потери энергии благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии.
Надежность: Высокая устойчивость к перегрузкам и температурным воздействиям.
Компактность: Модульный корпус позволяет легко интегрировать компонент в различные устройства.
Универсальность: Подходит для широкого спектра применений в силовой электронике.