FF200R17KE3_S4 - полумостовой IGBT-модуль (1700 В, 200 А, 62 мм) - оригинал Infineon
FF200R17KE3_S4 — полумостовой IGBT-модуль производителя Infineon. Конструкция: два силовых ключа с обратными диодами; подключение сверяется по паспорту. Напряжение коллектор–эмиттер 1700 В. Номинальный токовый класс 200 А (условия температуры и измерения следует проверять по datasheet). Корпус 62 мм. Типовое применение: инверторы, частотные приводы и силовые преобразователи. Точные параметры суффикса либо условия измерения требуют подтверждения по заводскому datasheet. Для подбора замены сравнивают корпус, электрические и тепловые режимы, цоколёвку и коммутационные потери.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Цена и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку FF200R17KE3_S4 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023216.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 62 мм |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF200R17KE3_S4 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В; 200 А; 62 мм |
Функциональный тип | два силовых ключа с обратными диодами; подключение сверяется по паспорту |
Расположение на складе | |
Примечание | Динамические, температурные характеристики и вес сверять по datasheet точного P/N. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |





































