FF300R12KT4 - силовой транзисторный модуль (IGBT, полумост, 1200 В, 300 А, 62 мм) - Infineon
FF300R12KT4 — IGBT-полумост Infineon Technologies AG, 1200 В, номинальный класс 300 А, корпус 62-мм модуль. Промышленный полумост в стандартном 62-мм корпусе, два силовых IGBT4 с быстрыми антипараллельными диодами. Технология TRENCHSTOP IGBT4 (T4), номинальный ток 300 А, типовое VCE(sat) 1,75 В. Применение: частотные преобразователи электродвигателей, преобразователи солнечной энергии, DC-шины и UPS. При проектировании платы драйвера необходимо учитывать напряжение управления, внутреннее и внешнее сопротивления затвора, динамические потери и паразитную индуктивность шин.
Техническая документация производителя: https://www.infineon.com/part/FF300R12KT4
На Infineon Developer Community обсуждается влияние напряжения затвора и сопротивления Rg на динамические потери и расчёт dV/dt. Это инженерное обсуждение, а не рекомендуемая настройка для любого изделия: https://community.infineon.com/t5/IGBT/Regarding-the-gate-voltage-of-IPOSIM/td-p/376138
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 62-мм модуль |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | FF300R12KT4 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2022 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | IGBT-полумост |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 350 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, 300 А, 62-мм модуль |
Функциональный тип | IGBT-полумост |
Расположение на складе | |
Примечание | Точные электрические параметры и условия переключения указаны в datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Конфигурация транзистора | Полумост |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.75 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
