FF50R12RT4 - полумостовой IGBT-модуль (1200 В, 50 А, 34-мм силовой модуль) - оригинал Infineon
FF50R12RT4 — полумостовой IGBT-модуль производства Infineon Technologies. В основе конструкции — полумост. Класс напряжения коллектор–эмиттер: 1200 В. Корпус или серия: 34-мм силовой модуль. Номинальный ток модуля по обозначению семейства: 50 А. Основное применение: электроприводы, UPS и преобразователи повышенной мощности. Полумост состоит из двух силовых ключей с обратными диодами; порядок выводов и способ присоединения к DC-шине необходимо сверить. Электрические и тепловые предельные параметры, цоколёвка и масса проверяются по документации точного заказного исполнения; одинаковая маркировка корпуса не гарантирует взаимозаменяемость.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 34-мм силовой модуль |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF50R12RT4 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | полумост |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В; полумост; 34-мм силовой модуль |
Функциональный тип | полумост |
Расположение на складе | |
Примечание | Токи по температуре корпуса, габариты, массу и схему соединений сверять по datasheet точного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
