FF650R17IE4 - полумостовой IGBT-модуль (1700 В, 650 А, PrimePACK 2) - оригинал Infineon
FF650R17IE4 — полумостовой IGBT-модуль от Infineon Technologies. Конфигурация: Half-bridge. Класс напряжения: 1700 В. Номинальный ток: 650 А. Корпус: PrimePACK 2. Применение: тяговые системы и силовые преобразователи. Два силовых IGBT в общей сборке с обратными диодами. Необходимо сверять схему полумоста, DC-шину, параметры диода, переходные потери и тип охлаждения.
Неподтверждённые предельные и динамические характеристики требуют проверки в datasheet точного исполнения.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | PrimePACK 2 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF650R17IE4 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | half-bridge |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В; номинал 650 А; Half-bridge; PrimePACK 2 |
Функциональный тип | half-bridge |
Расположение на складе | |
Примечание | Проверяйте точный заказной код, схему соединений, цоколёвку и условия измерения по datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |
Конфигурация транзистора | Полумост |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |




































