FF650R17IE4D_B2 - IGBT-модуль (1700 В, 650 А, AG-PRIME2 (PrimePACK 2)) - оригинал Infineon
FF650R17IE4D_B2 — полумостовой IGBT-модуль производства Infineon Technologies. В основе конструкции — полумост с усиленным диодом. Класс напряжения коллектор–эмиттер: 1700 В. Корпус или серия: AG-PRIME2 (PrimePACK 2). Номинальный ток модуля по обозначению семейства: 650 А. Основное применение: тяговые преобразователи с рекуперацией энергии. Полумост состоит из двух силовых ключей с обратными диодами; порядок выводов и способ присоединения к DC-шине необходимо сверить. Электрические и тепловые предельные параметры, цоколёвка и масса проверяются по документации точного заказного исполнения; одинаковая маркировка корпуса не гарантирует взаимозаменяемость.
Официальная документация/страница Infineon: https://www.infineon.com/part/FF650R17IE4D-B2
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | AG-PRIME2 (PrimePACK 2) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF650R17IE4D_B2 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | полумост с усиленным диодом |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В; полумост с усиленным диодом; AG-PRIME2 (PrimePACK 2) |
Функциональный тип | полумост с усиленным диодом |
Расположение на складе | |
Примечание | Токи по температуре корпуса, габариты, массу и схему соединений сверять по datasheet точного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
