FF650R17IE4DP_B2 - полумостовой IGBT-модуль (1700 В, 650 А, PrimePACK™ 2) - оригинал Infineon
FF650R17IE4DP_B2 — полумостовой IGBT-модуль производителя Infineon Technologies. Конфигурация: двухключевой полумост IGBT с антипараллельными диодами. Класс напряжения: 1700 В, номинальный ток модуля: 650 А. Корпус: PrimePACK™ 2. Предназначен для инверторов, систем управления электродвигателями и UPS. При замене требуется сверять распиновку полумоста. При выборе аналога необходимо сверить топологию, динамические потери, тепловое сопротивление, выводы и охлаждение.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Цену и срок поставки уточняйте по запросу.
Отправить запрос на поставку FF650R17IE4DP_B2 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023137.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | PrimePACK™ 2 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF650R17IE4DP_B2 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | двухключевой полумост IGBT с антипараллельными диодами |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В; 650 А; двухключевой полумост IGBT с антипараллельными диодами; PrimePACK™ 2 |
Функциональный тип | двухключевой полумост IGBT с антипараллельными диодами |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические параметры и цоколёвку конкретного исполнения сверять по заводскому datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
