FGA25N120ANTDTU - силовой IGBT NPT Trench (1200 В, 25 А, TO-3P) - оригинал onsemi
FGA25N120ANTDTU — силовой IGBT NPT Trench производителя onsemi. Конструкция: одиночный IGBT с управляющим затвором; наличие и тип обратного диода проверяется по datasheet. Напряжение коллектор–эмиттер 1200 В. Номинальный токовый класс 25 А (условия температуры и измерения следует проверять по datasheet). Корпус TO-3P. Типовое применение: импульсные преобразователи, драйверы электродвигателей и UPS. Для подбора замены сравнивают корпус, электрические и тепловые режимы, цоколёвку и коммутационные потери.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Цена и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку FGA25N120ANTDTU или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023234.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3P |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGA25N120ANTDTU |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой IGBT NPT Trench |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В; 25 А; TO-3P |
Функциональный тип | одиночный IGBT с управляющим затвором; наличие и тип обратного диода проверяется по datasheet |
Расположение на складе | |
Примечание | Динамические, температурные характеристики и вес сверять по datasheet точного P/N. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
