FGA40N65SMD - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (650 В, 40 А, TO-3PN) - оригинал onsemi
FGA40N65SMD — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производства onsemi, класс напряжения 650 В, токовый класс 40 А. Исполнение: Одиночный ключ IGBT, корпус TO-3PN. Солнечные инверторы, ups, сварочные аппараты и pfc. типовое vce(sat) 1,9 в при токе 40 а.. При подборе аналога сравнивайте VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, параметры обратного диода и тепловое сопротивление. Токовый класс не означает, что предельный длительный ток одинаков при Tc=25 °C и Tc=100 °C: при проектировании следует сверить паспортные режимы именно указанного исполнения.
Техническая документация или страница семейства: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fga40n65smd-d.pdf
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3PN |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGA40N65SMD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT Trench/Field Stop |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 650 В, класс 40 А, TO-3PN |
Функциональный тип | Одиночный ключ IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Цена и параметры поставки согласуются с менеджером. Фактическая масса определяется при поступлении. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |





































