FGA50S110P - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (1100 В, 50 А, TO-3PN) - оригинал onsemi
FGA50S110P — силовой транзистор БТИЗ (IGBT), производитель onsemi. Схема: дискретный IGBT; характеристики диода уточняются по datasheet. Исполнение: TO-3PN. Напряжение VCES/VRRM: 1100 В. Номинальный токовый класс 50 А; это не автоматически ток при 100 °C. Подтверждённый IC при Tc=25°C: 50 А. Подтверждённый IC при Tc=100°C: 30 А. Проверять выводы, терморежим, коммутационные потери, VCE(sat), Eon/Eoff и условия измерения.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку FGA50S110P или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023251.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3PN |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGA50S110P |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | дискретный IGBT; характеристики диода уточняются по datasheet; TO-3PN |
Функциональный тип | дискретный IGBT; характеристики диода уточняются по datasheet |
Расположение на складе | |
Примечание | Непроверенные параметры не заполняются; datasheet обязателен для точного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1100 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 30 А |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 50 А |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
