FGH40T120SMD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO−247−3LD) - оригинал ON
Мощный силовой транзистор компании ON Semiconductor с биполярным изолированным затвором - применяется в электрических цепях силовых приборов, стабилизаторах, сварочных инверторов и импульсных источниках питания. Транзистор БТИЗ или IGBT – прибор работающий по принципу силового трехвыводного проводника в связке биполярный(силовой канал) и полевой (канал управления).
Предельное напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В. Предел постоянного тока коллектора — 80 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C; импульсный предел — 160 А с ограничением по температуре перехода.
Краткие характеристики
Полное наименование: FGH40T120SMD - IGBT транзистор
Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
Максимальный ток коллектора IC: 40 Ампер
Максимальная мощность TC = 25°C PD 555 Вт
Максимальная мощность TC = 100°C 277 Вт
Тип корпуса: TO−247−3LD
Гарантии
Поставка транзисторов происходит в специальных пакетах для электроники чтобы предотвратить порчу товара.
Оптовым покупателям
Предоставляем варианты закупки транзисторов оптовыми партиями.
Доставка
Доставка срочных заказов осуществляет в срок от 2 до 7 дней, либо в обычном режиме - от 5 до 10 дней. География нашей доставки - вся России и страны СНГ. Имеется уникальная возможность доставки до 8 штук транзисторов (или радиокомпонентов весом до 100 грамм) мелким пакетом стоимостью 99р, с трек-номером для отслеживания посылки и SMS уведомлением.
Предлагаем подписаться на наш youtube канал, на котором публикуем новости, советы, распаковки, тесты и обзоры радиокомпонентов и прочего измерительного оборудования.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3LD |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FGH40T120SMD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж Транзисторы, полка IGBT, ячейка "Г -13-" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 40 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 80 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 80 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 555 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 277 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -25 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 25 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.8 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.4 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 40 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.27 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 160 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 370 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 600 В; VGE = 15 В; IC = 40 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 4300 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 30 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4.9 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VCE = VGE; IC = 40 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
IRFP460PBF - мощный N-канальный полевой транзистор (500В, 20А, TO-247AC, IRFP460) - оригинал IR
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip
HCPL-3120 - оптодрайвер IGBT/MOSFET (15–30 В; пик до 2,5 А; DIP-8 и DIP-8 Gull Wing) - оригинал AVAGO
