FGH75T65SQD-F155 - силовой IGBT Field Stop Trench (650 В, 75 А, TO-247-3) - оригинал onsemi
FGH75T65SQD-F155 — силовой IGBT Field Stop Trench производителя onsemi. Конструкция: одиночный IGBT с управляющим затвором; наличие и тип обратного диода проверяется по datasheet. Напряжение коллектор–эмиттер 650 В. Номинальный токовый класс 75 А (условия температуры и измерения следует проверять по datasheet). Корпус TO-247-3. Типовое применение: импульсные преобразователи, драйверы электродвигателей и UPS. По каталогу дистрибьютора предельный ток при Tc=25 °C 150 А; класс 75 А не равен этому пределу. Точные параметры суффикса либо условия измерения требуют подтверждения по заводскому datasheet. Для подбора замены сравнивают корпус, электрические и тепловые режимы, цоколёвку и коммутационные потери.
Запросить поставку
Цена и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку FGH75T65SQD-F155 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023232.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGH75T65SQD-F155 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой IGBT Field Stop Trench |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 650 В; 75 А; TO-247-3 |
Функциональный тип | одиночный IGBT с управляющим затвором; наличие и тип обратного диода проверяется по datasheet |
Расположение на складе | |
Примечание | Динамические, температурные характеристики и вес сверять по datasheet точного P/N. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
