FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал Infineon
Бренд:
Infineon Technologies AGХарактеристики
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | FP25R12W2T4 |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2025 |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 50 г |
Расположение на складе | |
Конфигурация транзистора | PIM |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.85 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал Infineon, также купили
AMS1117-1.8 - линейный регулятор с малым падением напряжения (1.8В, 0.8А, SOT-223) - оригинал AMS17 ₽
AMS1117-5.0 - линейный регулятор с малым падением напряжения (5.0В, 0.8А, SOT-223) - оригинал AMS17 ₽
AMS1117-3.3 - линейный регулятор с малым падением напряжения (3.3В, 0.8А, SOT-223) - оригинал AMS17 ₽
AMS1117-ADJ - линейный регулятор с малым падением напряжения (1.5-12В, 0.8А, SOT-223) - оригинал AMS17 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.