FZ1200R33HE3 - однотранзисторный IGBT-модуль (3300 В, 1200 А, AG-IHVB190-3) - оригинал Infineon
FZ1200R33HE3 — однотранзисторный IGBT-модуль Infineon Technologies. Конфигурация: одиночный ключ IGBT с обратным диодом. Класс напряжения: 3300 В. Токовый класс: 1200 А. Корпус: AG-IHVB190-3. Внутри один силовой ключ; не заменяет двухключевой полумост без переработки схемы. Статус производителя: not for new design. Условия измерения и динамические потери приведены в документации; вес, год и партия не подтверждены.
Источник технических данных: Источник технических данных
Запросить поставку
Цена и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку FZ1200R33HE3 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023209.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | AG-IHVB190-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FZ1200R33HE3 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | однотранзисторный IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | одиночный ключ IGBT с обратным диодом |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 3300 В; 1200 А; Single switch; AG-IHVB190-3 |
Функциональный тип | одиночный ключ IGBT с обратным диодом |
Расположение на складе | |
Примечание | Точное исполнение, вес, температурные и динамические параметры проверять по datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 3300 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
