GT50J325(Q) - N-канальный силовой IGBT транзистор (600В, 50А, до 240Вт, TO-3PL) - оригинал TOSHIBA
Характеристики
Общая информация | |
Год выпуска 
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2011 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 10 г |
Расположение на складе | |
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 |
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=100°C | 240 |
Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C | 100 |
Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | 20 |
Ток коллектора (Ic) при T=25°C | 50 |
Отзывы
Обсуждение
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.