IGB15N65S5 - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (650 В, 15 А, TO-263-3) - оригинал Infineon
IGB15N65S5 — одиночный силовой IGBT с изолированным затвором производства Infineon Technologies. Класс напряжения 650 В. Класс тока по обозначению серии — 15 А; максимальный непрерывный Ic при Tc=25 °C и Tc=100 °C требует проверки по документации конкретного исполнения. Корпус: TO-263-3. Силовой биполярный транзистор с изолированным затвором для преобразования электрической энергии. Основные области применения: Импульсные блоки питания, корректоры коэффициента мощности PFC, частотные преобразователи и приводы. Для замены важны VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, тип обратного диода, распиновка и параметры охлаждения. В реальной схеме проверяйте параметры драйвера и допустимые температуры; изделия с похожими напряжением и током не обязательно взаимозаменяемы.
Источник технической информации: https://www.infineon.com/part/IGB15N65S5
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-263-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IGB15N65S5 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 650 В, 15 А, TO-263-3 |
Функциональный тип | одиночный силовой IGBT с изолированным затвором |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические пределы и исполнение сверять по официальному datasheet. Год и условия поставки согласуются отдельно. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 23 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. Ограничения и условия — в паспорте. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 35 А |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.35 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 1.7 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 15 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 60 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена допустимой температурой перехода; подробности — в паспорте. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -40 °C |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
