IGD01N120H2 - транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, 1 А, TO-252-3-11) - оригинал Infineon
IGD01N120H2 — дискретный высоковольтный IGBT производства Infineon Technologies. Напряжение коллектор–эмиттер VCE: 1200 В. Корпус: TO-252-3-11. Характеристика по доступным данным: токовый класс 1 А. Технология/семейство: HighSpeed 2. Типичные области применения: резонансные преобразователи и ламповые балласты. Для выбора аналога сверяют наличие обратного диода, VCE(sat), энергию переключения Eon/Eoff, заряд затвора, тепловое сопротивление, допустимую температуру перехода и цоколёвку.
Справочный источник: https://www.infineon.com/dgdl/IGP_D01N120H2_Rev2_4G.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427a6fa3c8a
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-3-11 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IGD01N120H2 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | дискретный высоковольтный IGBT |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В; TO-252-3-11; HighSpeed 2; токовый класс 1 А |
Функциональный тип | дискретный высоковольтный IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические и тепловые параметры зависят от условий измерения; совместимость проверяют по заводскому datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
