IHW20N120R3 - транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, 20 А, TO-247-3) - оригинал Infineon
IHW20N120R3 — обратнопроводящий IGBT производства Infineon Technologies. Напряжение коллектор–эмиттер VCE: 1200 В. Корпус: TO-247-3. Максимальный ток коллектора при температуре корпуса Tc=100 °C: 20 А. При Tc=25 °C: 40 А. Технология/семейство: RC Resonant Switching. Типичные области применения: индукционный нагрев и резонансные преобразователи. Для выбора аналога сверяют наличие обратного диода, VCE(sat), энергию переключения Eon/Eoff, заряд затвора, тепловое сопротивление, допустимую температуру перехода и цоколёвку.
Справочный источник: https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/non-assigned/49/infineon-ihw20n120r3-datasheet-en.pdf
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IHW20N120R3 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | обратнопроводящий IGBT |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В; TO-247-3; RC Resonant Switching |
Функциональный тип | обратнопроводящий IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические и тепловые параметры зависят от условий измерения; совместимость проверяют по заводскому datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 20 А |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 40 А |





































