IHW20N65R5XKSA1 - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (650 В, 20 А, TO-247-3) - Infineon
IHW20N65R5XKSA1 — обратнопроводящий IGBT Infineon Technologies AG, 650 В, номинальный класс 20 А, корпус TO-247-3. Обратнопроводящий IGBT R5 с монолитным антипараллельным диодом для резонансных полумостов мягкой коммутации. По Infineon VCES 650 В, номинальный класс тока 20 А, IC до 40 А при Tc=25°C и 20 А при Tc=100°C; типовое VCE(sat) 1,35 В. Применение: индукционные плиты и нагреватели, инверторные микроволновые печи и резонансные преобразователи. Для новых разработок Infineon помечает модель Not for New Design; проверяйте доступные поколения.
Техническая документация производителя: https://www.infineon.com/part/IHW20N65R5
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IHW20N65R5XKSA1 |
Тип транзистора | обратнопроводящий IGBT |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Функциональная характеристика | 650 В, 20 А, TO-247-3 |
Функциональный тип | обратнопроводящий IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Точные электрические параметры и условия переключения указаны в datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
