IKB30N65EH5 TO-263-3 Infineon
Бренд:
Infineon Technologies AGХарактеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263-3) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IKB30N65EH5 |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Расположение на складе | |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 35 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. Ограничения и условия — в паспорте. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 55 А |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.65 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.1 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 30 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -40 °C |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.