IKD10N60RA - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 10 А, TO-252-3) - оригинал Infineon
IKD10N60RA — одиночный силовой IGBT с изолированным затвором производства Infineon Technologies. Класс напряжения 600 В. Класс тока по обозначению серии — 10 А; максимальный непрерывный Ic при Tc=25 °C и Tc=100 °C требует проверки по документации конкретного исполнения. Корпус: TO-252-3. Силовой биполярный транзистор с изолированным затвором для преобразования электрической энергии. В зависимости от поколения может иметь монолитный обратный диод; подтвердить схему и мягкую коммутацию. Основные области применения: Резонансные полумосты, индукционные нагреватели, инверторные источники питания и приводная автоматика. Для замены важны VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, тип обратного диода, распиновка и параметры охлаждения. В реальной схеме проверяйте параметры драйвера и допустимые температуры; изделия с похожими напряжением и током не обязательно взаимозаменяемы.
Перед использованием следует проверить актуальный datasheet полного P/N в официальном каталоге Infineon.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-3 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IKD10N60RA |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 600 В, 10 А, TO-252-3 |
Функциональный тип | одиночный силовой IGBT с изолированным затвором |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические пределы и исполнение сверять по официальному datasheet. Год и условия поставки согласуются отдельно. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |




































