IKD10N60RC2ATMA1 - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 10 А, TO-252-3) - Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) Infineon Technologies на 600 В, корпус TO-252-3. IGBT с монолитно интегрированным обратным диодом, предназначенный для резонансного или приводного коммутационного режима. Параметры семейства: Trench/Fieldstop IGBT. По официальным данным ток коллектора составляет 18.8 А при Tc=25 °C и 12.6 А при Tc=100 °C. Применяется в: управление двигателями холодильников, стиральных машин, насосов и бытовой техники. При замене детали следует учитывать сопротивление затвора, задержки включения и отключения, паразитную индуктивность монтажных проводников, тепловое сопротивление и возможность короткого замыкания. Ключ с похожими током и напряжением не всегда является взаимозаменяемым без проверки этих параметров.
Документация или официальная карточка производителя: Проверенный datasheet.
Суффикс заводского заказа/упаковки сохранён в полном обозначении. Совпадение характеристик с базовой моделью требует проверки OPN и корпуса.
Инженерное замечание: в Infineon Developer Community подчёркивается, что выбор резистора затвора меняет скорость переключения, потери и электромагнитные помехи. При подборе драйвера следует рассчитывать Rg по данным конкретного IGBT и испытывать реальную схему. Обсуждение: https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Double-pulse-test-Part-2-FAQs/ta-p/1188053.
Запросить поставку
Уточните цену, срок поставки и наличие у менеджера. Электрические и логистические параметры конкретной партии согласуются перед заказом.
Отправить запрос на поставку IKD10N60RC2ATMA1 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11022992.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-3 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IKD10N60RC2ATMA1 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT дискретный |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 4 г |
Функциональная характеристика | 600 В, 10 А, TO-252-3 |
Функциональный тип | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Цена предоставляется по запросу; год и состояние партии уточняются. Вес для доставки расчётный. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 12.6 А |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 18.8 А |





































