IKFW60N60DH3E - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 50 А, TO-247-3-AI) - Infineon
IKFW60N60DH3E — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) Infineon Technologies на 600 В, корпус TO-247-3-AI. IGBT с улучшенной электрической изоляцией корпуса, предназначенный для силовых схем, где требуются дополнительные требования к изоляции от радиатора. Параметры семейства: HighSpeed / Fieldstop. Индекс 50 А относится к обозначению класса тока серии; предельные значения Ic при Tc=25 °C и Tc=100 °C, а также VCE(sat) необходимо сверить по паспорту именно этого исполнения. Применяется в: частотные преобразователи, инверторы, активные корректоры мощности и импульсные источники питания. При замене детали следует учитывать сопротивление затвора, задержки включения и отключения, паразитную индуктивность монтажных проводников, тепловое сопротивление и возможность короткого замыкания. Ключ с похожими током и напряжением не всегда является взаимозаменяемым без проверки этих параметров.
Документация или официальная карточка производителя: Проверенный datasheet.
Статус изготовителя: Not for New Design; следует проверять актуальную альтернативу для новых разработок.
Запросить поставку
Уточните цену, срок поставки и наличие у менеджера. Электрические и логистические параметры конкретной партии согласуются перед заказом.
Отправить запрос на поставку IKFW60N60DH3E или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023004.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3-AI |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IKFW60N60DH3E |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT дискретный |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Функциональная характеристика | 600 В, 50 А, TO-247-3-AI |
Функциональный тип | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Цена предоставляется по запросу; год и состояние партии уточняются. Вес для доставки расчётный. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
