Доставка под заказ (из любой точки мира)
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микрокомпьютеры
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Ферриты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
Конструкторы
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Все категории
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
  • Конструкторы
Найти
Доставка под заказ (из любой точки мира)

IKP08N65F5 - транзистор БТИЗ (IGBT) (650 В, 11 А, TO-220-3) - оригинал Infineon

Поделиться
IKP08N65F5 - транзистор БТИЗ (IGBT) (650 В, 11 А, TO-220-3) - оригинал Infineon
Бренд:
Infineon
IKP08N65F5 — IGBT со встроенным диодом Infineon, класс напряжения 650 В, исполнение TO-220-3. Ток коллектора при Tc=100 °C: 11 А. Применение: высокочастотные импульсные источники питания.

Скачать IKP08N65F5 DATASHEET
Характеристики
Тип корпуса:
TO-220-3
Производитель:
Infineon
Part Number:
IKP08N65F5
Смотреть все
Информация о доставке
Ваш город (нажмите для выбора):
Почта
Самовывоз
Курьер
Почта России
Рассчитываем стоимость доставки...
Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)
Рассчитываем стоимость доставки...
ОЗОН - тестовая
Рассчитываем стоимость доставки...
5Post
Рассчитываем стоимость доставки...
КИТ до терминала
Рассчитываем стоимость доставки...
КСЭ - медленно
Рассчитываем стоимость доставки...
СДЭК Курьер
Рассчитываем стоимость доставки...
Деловые Линии
Рассчитываем стоимость доставки...
Информация от: 1 ноября 2026 г.
Артикул: 104234
Нет в наличии
Продано: 0 шт.
Цена по запросу
Сообщить о поступлении
Сообщить о поступлении товара
Ваша просьба принята!

Вы получите уведомление о поступлении товара в продажу на указанные Вами контакты
Ваш E-Mail
Номер моб. телефона (SMS)
Актуальность
- обязательно к заполнению
Проверка...
Заказ по телефону:+7-900-272-92-92
Описание

IKP08N65F5 — IGBT со встроенным диодом производства Infineon Technologies. Напряжение коллектор–эмиттер VCE: 650 В. Корпус: TO-220-3. Максимальный ток коллектора при температуре корпуса Tc=100 °C: 11 А. При Tc=25 °C: 18 А. Технология/семейство: TRENCHSTOP 5. Типичные области применения: высокочастотные импульсные источники питания. Для выбора аналога сверяют наличие обратного диода, VCE(sat), энергию переключения Eon/Eoff, заряд затвора, тепловое сопротивление, допустимую температуру перехода и цоколёвку. Позиция имеет обозначение discontinued/EOL у изготовителя; наличие требует индивидуального подтверждения.

Справочный источник: https://www.infineon.com/part/IKP08N65F5

Характеристики
Нормаупаковка
Тип корпуса
TO-220-3
Общая информация
Производитель

Производитель (бренд) товара.

Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру

Infineon
Part Number
IKP08N65F5
Оригинал

Оригинальность товара характеризует источник поставки:

  • "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя
  • "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов

В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки

Да
Тип транзистора
IGBT со встроенным диодом
Функциональная категория
БТИЗ (IGBT)
Вес и габариты
Функциональная характеристика
650 В; TO-220-3; TRENCHSTOP 5
Функциональный тип
IGBT со встроенным диодом
Расположение на складе
Примечание
Электрические и тепловые параметры зависят от условий измерения; совместимость проверяют по заводскому datasheet.
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.)
650 В
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.)
11 А
Условия характеристики тока
Предельный постоянный ток при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. Ограничения и условия — в паспорте.
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.)
18 А
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.)
1.6 В
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.)
2.1 В
Условия измерения VCE(sat) IGBT
Tvj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 8 А.
Максимальная температура перехода Tj
175 °C
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.)
24 А
Условия импульсного тока коллектора
Длительность импульса ограничена допустимой температурой перехода; подробности — в паспорте.
Минимальная рабочая температура перехода Tj
-40 °C
Отзывы

Loading...
Диодные мосты
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.