IKW08T120FKSA1 - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, 8 А, TO-247-3-1) - Infineon
IKW08T120FKSA1 — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производителя Infineon Technologies AG, класс напряжения VCES=1200 В, корпус TO-247-3-1. Технологическая серия Trench/Fieldstop IGBT. Индекс семейства содержит класс тока 8 А; фактический допустимый ток IC при Tc=25°C и Tc=100°C зависит от паспортных условий. Применяется в: частотные преобразователи, инверторы, коррекция коэффициента мощности и импульсные блоки питания. Полное заказное обозначение и особенности фасовки сохранены без сокращения. При проектировании силовой части важно учитывать потери при включении и выключении, заряд затвора, охлаждение, характеристики антипараллельного диода и допустимую частоту коммутации. В технических обсуждениях Infineon Developer Community отдельно рассматривается влияние внешнего резистора затвора на скорость переключения, динамические потери и электромагнитные помехи. Подбор Rg и режима драйвера требует проверки по datasheet и испытания в реальной схеме. Материал: https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Double-pulse-test-Part-2-FAQs/ta-p/1188053.
Прямая страница производителя для данного заказного кода не подтверждена; сведения об электрических режимах требуют сверки по заводскому datasheet.
Запросить поставку
Уточните актуальную цену, наличие и срок поставки у менеджера. Оформление покупки возможно после согласования условий.
Отправить запрос на поставку IKW08T120FKSA1 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023014.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3-1 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IKW08T120FKSA1 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, класс 8 А, TO-247-3-1 |
Функциональный тип | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Год и состояние партии требуют уточнения. Масса 8 г расчётная. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |




































