Доставка под заказ (из любой точки мира)
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микрокомпьютеры
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Ферриты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
Конструкторы
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Все категории
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
  • Конструкторы
Найти
Доставка под заказ (из любой точки мира)

IRFB38N20DPBF - силовой N-канальный полевой транзистор (200В, 43А при Tc=25°C, 30А при Tc=100°C, 16нс/29нс, TO-220AB) - оригинал INFINEON

Поделиться
IRFB38N20DPBF — N-канальный MOSFET Infineon: VDSS 200 В; ток стока 43 А при Tc = 25 °C и 30 А при Tc = 100 °C при VGS = 10 В с учётом примечаний к монтажу в паспорте. RDS(on) до 54 мОм при ID = 26 А и VGS = 10 В. Корпус TO-220AB.

Скачать IRFB38N20DPBF DATASHEET
Характеристики
Тип корпуса:
TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies AG
Part Number:
IRFB38N20DPBF
Смотреть все
Информация о доставке
Ваш город (нажмите для выбора):
Почта
Самовывоз
Курьер
Почта России
Рассчитываем стоимость доставки...
Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)
Рассчитываем стоимость доставки...
ОЗОН - тестовая
Рассчитываем стоимость доставки...
5Post
Рассчитываем стоимость доставки...
КИТ до терминала
Рассчитываем стоимость доставки...
КСЭ - медленно
Рассчитываем стоимость доставки...
СДЭК Курьер
Рассчитываем стоимость доставки...
Деловые Линии
Рассчитываем стоимость доставки...
Информация от: 2 ноября 2026 г.
Артикул: 11008811
На складе (г.Краснодар): 946 шт
Под заказ ( 2 - 4 недели): Нет в наличии
Продано: 34 шт.
145 ₽
включая НДС 5%
Количество:
Быстрый заказ в 1 клик
Оптовые скидки:
От 10 шт 138 руб.
От 100 шт 130 руб.
От 1000 шт 116 руб.
Заказ по телефону:+7-900-272-92-92
Характеристики
Нормаупаковка
Тип корпуса
TO-220AB
Общая информация
Производитель

Производитель (бренд) товара.

Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру

Infineon Technologies AG
Part Number
IRFB38N20DPBF
Оригинал

Оригинальность товара характеризует источник поставки:

  • "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя
  • "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов

В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки

Да
Год выпуска

Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"

2025
Тип упаковки
Tube
Количество в упаковке
50шт.
Тип транзистора
Полевой
Вес и габариты
Вес изделия
3 г
Расположение на складе
Условия характеристики тока
43 А при Tc = 25 °C и 30 А при Tc = 100 °C, VGS = 10 В; учитывайте примечания о монтаже. Мощность: паспорт 300 Вт, каталог Infineon 320 Вт при неуточнённых условиях.
Напряжение сток–исток VDSS (макс.)
200 В
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.)
43 А
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.)
30 А
Импульсный ток стока |IDM| (макс.)
180 А
Напряжение затвор–исток VGS (мин.)
-30 В
Напряжение затвор–исток VGS (макс.)
30 В
Структура транзистора / тип канала
N-канал
Конфигурация транзистора
Одиночный транзистор
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм
54
Условия измерения RDS(on)
Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 26 А; значение максимальное.
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.)
3 В
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.)
5 В
Условия измерения VGS(th)
Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА.
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл
60
Условия измерения Qg
Tj = 25 °C; VDS = 100 В; VGS = 10 В; ID = 26 А.
Максимальная температура перехода Tj
175 °C
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт
0.47
Минимальная рабочая температура перехода Tj
-55 °C
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (макс.), нКл
91
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ
2900
Условия измерения входной ёмкости Ciss
Tj = 25 °C; VDS = 25 В; VGS = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение.
Отзывы

Loading...
Диодные мосты
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.