IRFB7430PbF- N-канальный полевой MOSFET транзистор (40В, 195А, 375Вт, TO-220, IRFB7430)- оригинал IR
N-канальные полевые MOSFET транзисторы IRFB7430PbF - оригиналы напрямую с производственных линий IR. Рассчитаны на напряжение до 40В и ток не более 195А.
Краткие характеристики
- Полное наименование: IRFB7430PbF полевой транзистор
- Максимальное напряжение VDSS: 40 Вольт
- Максимальный ток сток-исток ID: 195 Ампер при Тс=25°C
- Максимальная мощность PD: 375 Ватт при Тс=25°C
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: TO-220AB
Более полно ознакомиться с полевым транзистором IRFB7430PbF можно в его datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов полевого транзистора IRFB7430PbF
Рис. №2 Типовые размеры и форма корпуса полевых транзисторов IRFB7430PbF
Гарантии
Доставляя напрямую с производственных линий полевые транзисторы IRFB7430PbF, мы гарантируем их оригинальность. Имеются видео и фото вскрытия заводских коробок: их мы выкладываем на нашем YouTube-канале.
Оптовые поставки
В нашем магазине приятные расценки на полевые транзисторы IRFB7430PbF, а также автоматические скидки.
У нас самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Благодаря отточенной работе, мы можем предлагать нашим покупателям хорошие для них цены. Более 10 лет мы производим большие закупки. В составе контейнера каждый месяц есть оптовая поставка.
Окончательная стоимость с каждым покупателем обсуждается индивидуально.
Доставка
Закажите оригинальные полевые транзисторы IRFB7430PbF в нашем магазине:
- доставка производится по всей России;
- в течении 2-7 рабочих дней быстрый заказ уже будет у вас, 5-10 дней – обычный;
- отправка производится транспортной компанией на ваш выбор, в том числе и Почтой России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | International Rectifier |
Part Number | IRFB7430PbF |
Страна производитель | Китай |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 50 шт. в одной рейке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 2 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Ячейка на стеллаже "Транзисторы" первого помещения "ПОЛЕВЫЕ 6-5" |
Условия характеристики тока | При VGS = 10 В расчётный предел кристалла: 409 А при Tc = 25 °C, 289 А при Tc = 100 °C. Предел токопроводящих соединений 195 А; в фильтре указаны 195 А. Дополнительно учитывайте нагрев выводов. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 40 В |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 1524 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 1.3 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 100 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2.2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 3.9 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.4 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Предел тока стока по корпусу или соединениям (макс.) | 195 А |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 375 Вт |
Условия измерения теплового сопротивления RthJC | Условия измерения RthJC приведены в паспорте производителя. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
