IRG4PH40KDPBF - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, TO-247AC-3) - оригинал Infineon
IRG4PH40KDPBF — одиночный силовой IGBT с изолированным затвором производства Infineon Technologies. Класс напряжения 1200 В. Номинальный ток и его тепловые ограничения следует уточнять по официальной спецификации. Корпус: TO-247AC-3. Силовой биполярный транзистор с изолированным затвором для преобразования электрической энергии. Прежняя серия International Rectifier, приобретённая Infineon; уделить внимание статусу старых запасов. Основные области применения: Высоковольтные инверторы, промышленные UPS, преобразователи солнечной энергетики и сварочное оборудование. Для замены важны VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, тип обратного диода, распиновка и параметры охлаждения. В реальной схеме проверяйте параметры драйвера и допустимые температуры; изделия с похожими напряжением и током не обязательно взаимозаменяемы.
Перед использованием следует проверить актуальный datasheet полного P/N в официальном каталоге Infineon.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247AC-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IRG4PH40KDPBF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В, TO-247AC-3 |
Функциональный тип | одиночный силовой IGBT с изолированным затвором |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические пределы и исполнение сверять по официальному datasheet. Год и условия поставки согласуются отдельно. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
