IRGS4B60KD1TRRP - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, TO-263) - Infineon
IRGS4B60KD1TRRP — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) Infineon Technologies на 600 В, корпус TO-263. Силовой IGBT для коммутации повышенных напряжений; наличие обратного диода и режимы его восстановления зависят от исполнения, проверяются по datasheet. Параметры семейства: Trench/Fieldstop IGBT. Предельный ток Ic и условия его измерения уточняются по документации конкретного исполнения. Применяется в: частотные преобразователи, инверторы, активные корректоры мощности и импульсные источники питания. При замене детали следует учитывать сопротивление затвора, задержки включения и отключения, паразитную индуктивность монтажных проводников, тепловое сопротивление и возможность короткого замыкания. Ключ с похожими током и напряжением не всегда является взаимозаменяемым без проверки этих параметров.
Перед применением сверить заводской datasheet именно этого полного P/N; публичная страница производителя не была подтверждена.
Суффикс заводского заказа/упаковки сохранён в полном обозначении. Совпадение характеристик с базовой моделью требует проверки OPN и корпуса.
Запросить поставку
Уточните цену, срок поставки и наличие у менеджера. Электрические и логистические параметры конкретной партии согласуются перед заказом.
Отправить запрос на поставку IRGS4B60KD1TRRP или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11022993.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-263 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IRGS4B60KD1TRRP |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT дискретный |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 4 г |
Функциональная характеристика | 600 В, TO-263 |
Функциональный тип | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Цена предоставляется по запросу; год и состояние партии уточняются. Вес для доставки расчётный. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
