KWRFF100R12SWM - модуль силовой IGBT-полумост: 2-транзистора c общим коллектор-эмиттером (2х{1200В/100А}, до 357Вт, 94х34х29.6мм, CASE D-93) - производство JUNSHIN

KWRFF100R12SWM - модуль силовой IGBT-полумост: 2-транзистора c общим коллектор-эмиттером, встроенными обратными диодами и затворным резистором (2х{максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±20В/пороговое 6.1В, максимальный ток коллектор-эмиттер 100А/200А_одиночный импульс 1мс, макс. падение напряжения Uкэ=2.0В/при Т=25°С, встроенные: обратный диод К-Э, затворный резистор 7.5 Ом; время задержки включения/выключения_206нс/276нс}, металлическая подошва для радиатора, устойчивость к КЗ, до 357Вт, -40°С÷150°С, 11 выводов (7 Plug-In + 3 силовых Screw_4хМ5), 94х34х29.6мм, CASE D-93) - производство JUNSHIN